本项目采用先进的飞秒激光光谱技术，特别是多波长泵浦-探测技术和飞秒光屯导相关技术，研究了LT-GaAs在不同激发能态下导带中电子的驰豫过程和缺陷态对电子的俘获过程，取得了四个重要的研究成果，完成了原计划的内容。在实验上测出了LT-GaAs中载流子的寿命为<400fs，导出了电子的俘获时间小于500fs，并指出随着光激发能量的增大，电子俘获速率加快，这些都是有关LT-GaAs研究的新的结果：研究了LT-GaAs光电导开关超快瞬态响应特性：研究了半导体带间光学极化的两种超快退相机制，在飞秒产生和测量技术上取得了突破，在自行研制的自锁模钛宝石飞秒激光器中获得8.5飞秒脉冲，频谱最宽达144nm，这是目前国内同类激光器产生的最短脉冲，达到国际先进水平。