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研究用LB膜热解法制备SiC单晶薄膜

批准号：
69476005
项目类别：
面上项目
资助金额：
8.0 万元
负责人：
阮耀钟
依托单位：
中国科学技术大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
1997
批准年份：
1994
项目状态：
已结题
项目参与者：
杨培芳、李春娥、王瑞平、潘国强、金非坤、傅正平
关键词：
LB膜薄膜碳化硅

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