离子束外延生长(Ga,Mn)As材料及性质研究
批准号：
60176001
项目类别：
面上项目
资助金额：
23.0 万元
负责人：
陈诺夫
依托单位：
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2004
批准年份：
2001
项目状态：
已结题
项目参与者：
常秀兰、吴金良、张秀兰、杨君玲、张富强、彭长涛、修慧欣
关键词：
项目摘要
结项摘要
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中文摘要
从电子的角度来讲，现有的半导体材料主要利用了电子的荷电性质，而磁性材料主要利用了电子的自旋性质。如能同时利用电子的自旋和电荷就可能开发出新型的功能材料和器件。如能在ＧａＡｓ中引入磁性元素，使非磁性的ＧａＡｓ成为稀磁半导体，或生成磁体／ＧａＡｓ杂合结构，那么就可在传统的非磁性的ＧａＡｓ材料中产生与磁场和电子自旋有关的现象。我们拟用离子束外延技术对ＧａＡｓ基（Ｇａ，Ｍｎ）Ａｓ稀磁半导体和异质结构－（Ｍｎ，Ｇａ，Ａｓ）／ＧａＡｓ，进行材料生长研究，同时对其磁性、半导体性和相关的磁效应进行研究。研究不同组态相应的物理性质。
英文摘要
硅基稀磁半导体材料制备及性质研究
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批准号：60576010
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项目类别：面上项目
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资助金额：28.0万元
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批准年份：2005
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负责人：陈诺夫
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依托单位：
国内基金
海外基金