近十多年来，由于表现出不同于常规合金的令人惊奇的光电性质，如带隙的弯曲和E+能级的出现，掺氮的III-V族半导体材料Ga(In)NAs成为倍受瞩目的新型光电子材料。如何理解E+能级的物理根源和带边E0能级的物理特性等问题也就成为研究和理解Ga(In)NAs材料物理性质的核心问题之一。本项目将主要利用显微光致发光和显微共焦拉曼技术在常温和液氮温度下研究N组分从0.0%到1.7%的GaAsN合金，来深入理解GaAsN合金材料奇特的电声子相互作用和离子型半导体特性、E+能级载流子热离化行为，GaAsN合金中N能级与主能级之间的相互作用，以及E+和E0能级的其他奇特物理性质。本项目对探讨带边以上发光的基本物理问题和促进半导体材料的发展有实际意义，也将推动Ga(In)NAs材料体系在光纤通讯以及太阳能电池等领域方面的广泛应用。