研究实验中已实现了的长度近微米量级的半导体异质结量子线在太赫兹(THz)频段电磁场辐照下, 电子受光子非弹性散射引起的各种量子跃迁、光子旁带及光子协助遂穿等物理现象. 采用含时散射矩阵和非平衡格林函数方法分别考虑线几何形状、无序及电子相互作用对电子透射率随入射能量变化的影响, 在此基础上研究透射率或I-V特性随外场参量(频率、强度、极化方向与照射范围等)的变化、输运阻塞(全反射)与全透射的形成条件以及与系统参数(几何参数、横向限制势、杂质大小与强度等)的关系. 建立和发展通过电磁场参量对量子线输运性质实现量子相干操控的理论与方法. THz是电磁波中研究得很不够的波段范围,低维介观量子结构对THz辐射的响应特性是光与物质相互作用领域中的一个新课题, 相关的研究能展现出一些新的基础物理内容和概念, 同时也能为凝聚体系中超快过程的探测、太赫兹辐射的检测、介观量子电路的设计等技术研究提供物理基础.