通过对材料的微结构及物性研究，搞清组成元素对其微结构及性能的影响，通过替代、掺杂、共生、固溶等手段达到改进并进而设计和发展用于NvFeRAM的新材料。研究与存储记忆有关的物理问题。特别是尺寸效应、应力效应、疲劳、保持等与可靠性有关的问题，在搞清机理的前提下提出改进措施。研究与FeFET及DRAM有关的高K gate材料及相关物理问题。