课题基金 / 基金详情

源漏极对称的垂直型全栅MOSFET及其三维逻辑器件

批准号：
62274012
项目类别：
面上项目
资助金额：
59 万元
负责人：
叶术军
依托单位：
北京理工大学
学科分类：
半导体电子器件与集成
结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
叶术军
关键词：
三维逻辑器件源漏垂直型MOSFET全栅

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