Cu-MgB2薄膜TESLA型射频超导腔的制备及性能研究
批准号:
10875008
项目类别:
面上项目
资助金额:
48.0 万元
负责人:
谢大弢
依托单位:
学科分类:
加速器物理
结题年份:
2011
批准年份:
2008
项目状态:
已结题
项目参与者:
孟胜、徐文灿、靳松
中文摘要
射频超导腔是射频加速器的核心,它在国际上的诸多领域如直线对撞机,能量回收加速器,X-射线自由电子激光上有重要的应用。目前,国际上应用的1.3GHz超导腔由纯铌制造,在液氦的超流温度1.8K下运行,制造和运行成本非常非常昂贵。一个9-cell的纯铌超导腔要达到约200万人民币的造价,而且要在1.8K的条件下运行,运行条件非常苛刻。MgB2作为一种新的超导材料有很好的超导特性,其Tc达到了39K,临界磁场强度也比铌的高出三个量级.用铜腔内部制备MgB2薄膜技术制造的复合超导腔将有非常多的优势:它可以在制造成本上降低到铌腔的1/100;运行条件可以在4.2K以上;而且可以提高目前受到限制的铌腔最大加速梯度Eacc(铌腔的极限为40MV/m,主要原因是超过了铌的上临界磁场强度;MgB2腔的理论极限可以达到77MV/m),是一种极有潜在应用和发展前途的高科技项目。
英文摘要
Spoke射频超导腔的等离子后处理技术研究
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批准号:11275016
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项目类别:面上项目
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资助金额:80.0万元
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批准年份:2012
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负责人:谢大弢
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依托单位:
国内基金
海外基金