SiC MOSFET退化—冲击关联性失效机制与可靠性模型研究
批准号:
62474053
项目类别:
面上项目
资助金额:
54.00 万元
负责人:
陈媛
依托单位:
学科分类:
信息科学部
结题年份:
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批准年份:
2024
项目状态:
未结题
项目参与者:
陈媛
关键词:
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SiC MOSFET功率循环退化机制及多机理耦合寿命模型研究
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批准号:62104046
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项目类别:青年科学基金项目(C类)
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2021
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负责人:陈媛
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依托单位:
国内基金
海外基金