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铋层状结构压电陶瓷的导电特性及机理研究

批准号：
50572112
项目类别：
面上项目
资助金额：
26.0 万元
负责人：
董显林
依托单位：
中国科学院上海硅酸盐研究所
学科分类：
功能陶瓷
结题年份：
2008
批准年份：
2005
项目状态：
已结题
项目参与者：
晏海学、姚春华、李玉臣、包绍明、周志勇、陈思
关键词：
铋层状结构电导率离子缺位热退极化压电陶瓷

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
铋层状结构压电陶瓷具有高居里温度的特点，可用作高温压电传感器的核心元件，在航天、航空、舰船、核能、冶金和化工等军事和民用领域有广泛的应用。但由于铋层状结构压电陶瓷在高温时电导率显著增加，从而使它的使用温度范围受到严重限制，目前国内外对铋层状结构压电陶瓷的导电特性及机理尚缺乏系统的研究。本项目从层状结构的特点出发,深入研究(Bi2O2)2+层中的离子缺位、氧空位以及不同气氛处理等对铋层状结构压电陶瓷导电性能的影响,揭示其导电机理,提出降低材料高温电导率的有效方法,并研究材料的高温热退极化性能，进而研制出可在450℃以上稳定使用的高温压电陶瓷材料。这不仅有助于深刻了解铋层状结构材料的结构特点，而且对指导开发具有我国自主知识产权的实用新型铋层状结构高温压电陶瓷及相关器件有重要的实用价值。
英文摘要
铋层状结构高温压电陶瓷材料及器件应用中的基础问题
YIG/PST磁电复合薄膜的生长控制及其磁电调谐性能研究
冲击波压缩下PZT95/5铁电陶瓷的电击穿机理研究
PZT95/5型铁电陶瓷相变热释电效应研究
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