CdE、ZnE(E=S或Se)及其三元化合物半导体纳米带掺杂物的光导性质研究

纳米功能材料和纳米器件的研究具有重要的科学意义和应用价值。本课题拟.用热蒸发、共蒸发、激光蒸发合成CdE，ZnE（E=S 或Se）及其三元化合物半导体纳米带。对纳米带材料的能带进行剪裁、设计。通过选择合适的实验条件、合理调整ZnE和CdE(E=S 或Se)的成分比例，生长结构完整、缺陷极少的单晶CdE、ZnE（E=S 或Se）及三元纳米带（丝）及其稀土元素掺杂物、并对其进行光导性质研究。研究工作从以下四方面展开：（1）从晶体生长的侧面研究合成上述单晶优质材料的方法， 研究它们在不同条件下的光导、光谱性质，并与相应的薄膜作对比；（2）合成稀土元素掺杂ZnE、CdE(E=S或Se)及其三元化合物纳米带，研究其光导、光谱性质；（3）对所合成的纳米带进行颜料敏化（诺丹明或亚甲蓝），研究其光导、光谱性质；（4）从理论侧面研究上述材料的光导机理，拓宽上述材料的应用范围，促进其在光电方面的应用。