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增强型HEMT中p-GaN栅双结的强场、高频物性匹配及其加固方法研究

批准号：
62304242
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
30 万元
负责人：
钟耀宗
依托单位：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
学科分类：
半导体电子器件与集成
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
钟耀宗
关键词：
增强型HEMT加固方法研究高频物性匹配p-GaN栅双结强场

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