共振腔增强GaInAsSb室温红外探测器研究
批准号:
60177014
项目类别:
面上项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
宋航
依托单位:
学科分类:
光子与光电子器件
结题年份:
2004
批准年份:
2001
项目状态:
已结题
项目参与者:
陈伟立、付义、田园、张子扬
中文摘要
采用MOCVD技术在GaSb衬底上研制共振腔增强GaInAsSb.室温红外.光电探测器,研究相关的牧衔锢砑捌骷锢砦侍狻S捎贗nAs与.Ga.Sb材料晶格匹配良好,并且折射率差异较大,因吮鞠钅垦∮肐n.As./Ga.Sb作为共振腔中的分布布拉格反射镜。把共振腔引入红外光电探测鹘蟠蟾纳破骷阅埽迪趾焱夤獾母吡槊舳仁椅绿讲狻?...............
英文摘要
无铯激活负电子亲和势AlGaN日盲紫外光电子发射材料的MOCVD生长与光电特性研究
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批准号:51472230
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项目类别:面上项目
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资助金额:85.0万元
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批准年份:2014
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负责人:宋航
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依托单位:
GaN/InN(QD)量子点复合结构载流子倍增太阳能电池材料与器件研究
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批准号:51072196
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项目类别:面上项目
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资助金额:39.0万元
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批准年份:2010
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负责人:宋航
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依托单位:
室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究
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批准号:50632060
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项目类别:重点项目
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资助金额:160.0万元
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批准年份:2006
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负责人:宋航
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依托单位:
碳纳米管场发射自旋电子源研究
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批准号:60571004
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项目类别:面上项目
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资助金额:24.0万元
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批准年份:2005
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负责人:宋航
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依托单位:
纳米硅材料制备及发光特性研究
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批准号:59782008
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:1997
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负责人:宋航
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依托单位:
国内基金
海外基金