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共振腔增强GaInAsSb室温红外探测器研究

批准号:
60177014
项目类别:
面上项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
宋航
学科分类:
光子与光电子器件
结题年份:
2004
批准年份:
2001
项目状态:
已结题
项目参与者:
陈伟立、付义、田园、张子扬

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
采用MOCVD技术在GaSb衬底上研制共振腔增强GaInAsSb.室温红外.光电探测器,研究相关的牧衔锢砑捌骷锢砦侍狻S捎贗nAs与.Ga.Sb材料晶格匹配良好,并且折射率差异较大,因吮鞠钅垦∮肐n.As./Ga.Sb作为共振腔中的分布布拉格反射镜。把共振腔引入红外光电探测鹘蟠蟾纳破骷阅埽迪趾焱夤獾母吡槊舳仁椅绿讲狻?...............
英文摘要
无铯激活负电子亲和势AlGaN日盲紫外光电子发射材料的MOCVD生长与光电特性研究
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