非致冷InAsSb中红外探测器材料的研究

近年来，在红外探测器方面最重要的突破之一是可以工作于室温的红外探测材料的进展。InAsSb红外探测器的截止波长在室温可以接近5μm，在军用领域如精确制导、红外成像、红外监视、红外瞄准等方面，民用领域如安全防范、夜间监视、工业测温、环境监测、光谱测试等方面均有广泛的应用前景。3～5μm红外半导体探测器由于其国防及民用领域具有极其重要的应用背景而受到人们的高度重视。本项目采用LPMOCVD技术生长InAsSb材料，研究生长条件对材料的结晶质量、电学、光学性质的影响，以及与其相关的材料物理问题和探测器器件验证工作。采用两步生长法，引入缓冲层解决外延层与衬底的晶格失配问题，利用原位处理技术获得优良的界面，减少材料中的缺陷，提高材料的晶体质量，研究探测器结构材料的光学和电学性质，材料质量与器件性能的关系，进行器件结构材料的生长和探测器器件验证，为制备3～5μmInAsSb红外探测器奠定良好材料基础。