SiC一维纳米材料――纳米线（棒、带、链或同轴电缆等）及阵列，作为第三代电子材料及结构材料在光、电、磁及复合材料增强相等方面均具有广泛的应用前景。本项目首次提出一种低成本合成大量SiC一维纳米材料及SiC纳米线阵列的新方法－气相化学反应法，并对其形成机理和新颖特性进行探索，为SiC一维纳米材料的规模化生产及应用奠定基础。主要研究内容包括：1）整体试验方案设计，包括原料选择及预处理，自制反应室设计及制造，各工艺参数的优化及其对产物形貌的影响规律。2）通过对产物组织及微观结构的表征，建立理论模型，研究形成机理。3）利用各种先进测试手段探索其新颖特性，尤其是电场发射特性。本项目的主要特点是：1）研究出可在较低温度及短时间内合成出大量SiC一维纳米材料及阵列的新方法，该方法成本低具有产业化前景和一定的适普性；2）研究生长机理，完善一维纳米材料的生长理论；3）探索新颖特性，开发其应用领域。