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EMCD和ALCHEMI研究单个DMS纳米结构的铁磁性内禀属性

批准号:
50902014
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
张志华
依托单位:
学科分类:
无机非金属类高温超导与磁性材料
结题年份:
2012
批准年份:
2009
项目状态:
已结题
项目参与者:
滕颖丽、何明、李志强、张慧杰、周秀全

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
传统方法不能同时进行单个稀磁半导体(DMS)纳米结构磁性质测量和二次相判定,无法直接确定铁磁性是否为其内禀属性。本项目利用通道增强微分析(ALCHEMI)和电子磁手性二色性谱(EMCD),研究单个ZnO基稀磁半导体纳米材料的铁磁性内禀属性问题。确定掺杂离子在ZnO基体中的掺杂位置;在透射电镜下选择特殊的散射条件,构造出与X射线极化光-左旋光和右旋光等价的电子束,研究掺杂离子能量损失边的二向色性;原位加移磁场,研究二向色性谱的变化;结合同时得到的单个纳米结构的微观结构,区分磁性的类型并确定铁磁性是否是材料的内禀属性。该项目利用透射电镜的高空间分辨率,深入探讨稀磁半导体磁性掺杂离子掺杂位置、电子结构以及磁性质之间的关系,实现单个稀磁半导体纳米结构铁磁性内禀属性的判定,为理解稀磁半导体磁性起源奠定了基础,对实现其应用具有重要意义。
英文摘要
过渡金属元素掺杂稀磁半导体(Dilute Magnetic Semiconductors,DMS)材料是较早发现的具有室温铁磁性的 DMS材料,引起了人们的极大关注。但该材料发展中存在一重要问题:即,该材料体系中过渡金属元素可能形成磁性团簇,室温铁磁性可能不是该材料的内禀属性,这严重制约了材料的发展。本项目围绕该问题,展开了系统的研究,取得了一系列有特色的创新性成果,顺利完成了研究计划。3年来,共完成标注资助SCI收录论文7篇,大会邀请报告1次。应用通道增强微分析(ALCHEMI)确定了过渡金属元素掺杂在 ZnO基体的 Zn 取代位;应用电子磁圆二色(EMCD)方法证明 Fe 掺杂 ZnO 稀磁半导体不具有室温铁磁性,而 Co 掺杂 ZnO DMS材料中铁磁性为其内禀属性。研究发现,Fe 掺杂ZnO 和Co 掺杂 ZnO 具有极其相似的晶体结构,宏观性质却完全不同,缺陷和基体中元素的自旋极化起至关重要的作用。利用电子显微学分析手段,结合第一性原理计算,研究缺陷的不同类型、与磁性离子相对位置、浓度以及分布等对 DMS 材料电子结构的影响;研究了 O 元素和 Zn 元素的自旋极化与材料的宏观磁性质的关系。本研究解决了DMS材料研究领域室温铁磁性的判定问题,使ALCHEMI-EMCD方法成为判定单根纳米材料铁磁性内禀属性的实验证据。
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Synthesis and luminescence properties of europium doped YBa3B9O18
铕掺杂YBa3B9O18的合成及发光性能
DOI: 10.1016/j.physb.2012.03.076
发表时间: 2012-07-15
期刊: PHYSICA B-CONDENSED MATTER
影响因子: 2.8
作者: [He, Ming, Huang, G. L., Zhang, Z. H.]
通讯作者: Zhang, Z. H.
DOI: 10.1142/s0217979211058857
发表时间: 2011-05
期刊: International Journal of Modern Physics B
影响因子: 1.7
作者: [M. He;Zhihua Zhang;Xiaolong Chen;M. Qiu;Y. Ji;J. Xiu]
通讯作者: M. He;Zhihua Zhang;Xiaolong Chen;M. Qiu;Y. Ji;J. Xiu
DOI: --
发表时间: --
期刊: Materials Letters
影响因子:
作者: [A. L. Zhang, Z. H. Zhang, H. L. Tao, R. Wu, J. Li, Y. F. Sun, J. K. Jian, ]
通讯作者:
DOI: --
发表时间: --
期刊: 大连交通大学学报
影响因子: --
作者: [陶华龙, 张志华, 黄国亮, TAO Hua-long,ZHANG Zhi-hua,HUANG Guo-liang(School]
通讯作者: TAO Hua-long,ZHANG Zhi-hua,HUANG Guo-liang(School
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    金属元素掺杂影响铁基超导材料性能的机理研究
    • 批准号:
      --
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      58万元
    • 批准年份:
      2021
    • 负责人:
      张志华
    • 依托单位:
    新型铁电金属的显微结构及电子结构研究
    • 批准号:
      51872034
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      60.0万元
    • 批准年份:
      2018
    • 负责人:
      张志华
    • 依托单位:
    非磁性元素掺杂稀磁半导体铁磁性机理研究的新方法
    • 批准号:
      51372027
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      80.0万元
    • 批准年份:
      2013
    • 负责人:
      张志华
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金