课题基金 / 基金详情

面向GaN单片集成的垂直栅结构p沟道晶体管设计及关键问题研究

批准号：
62374079
项目类别：
面上项目
资助金额：
48 万元
负责人：
化梦媛
依托单位：
南方科技大学
学科分类：
集成电路设计
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
化梦媛
关键词：
沟道晶体管设计关键问题研究垂直栅结构单片集成GaN

化梦媛的其他基金

相似基金

相关文献

p型氮化镓MIS栅界面态及栅极可靠性研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    30.0万元
  • 批准年份：
    2024
  • 负责人：
    化梦媛
  • 依托单位：
    南方科技大学
面向高效能小型化电源应用的氮化镓电力电子器件栅极可靠性研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    化梦媛
  • 依托单位：
    南方科技大学
常关型GaN基MISFET栅极可靠性和阈值稳定性研究
  • 批准号：
    61904078
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    26.0万元
  • 批准年份：
    2019
  • 负责人：
    化梦媛
  • 依托单位：
    南方科技大学
国内基金
海外基金