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新型IIIB族元素掺杂Ga2O3合金设计、带隙与氧空位缺陷调控及其灵敏快速日盲紫外光探测器研究

批准号：
--
项目类别：
面上项目
资助金额：
52 万元
负责人：
何云斌
依托单位：
湖北大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
何云斌
关键词：
日盲紫外光探测器研究新型IIIB族元素灵敏快速Ga2O3合金

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