NiMnInCo合金薄膜的磁驱动马氏体相变及磁感生应变研究
批准号:
50901026
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
谭昌龙
依托单位:
学科分类:
金属生物与仿生材料
结题年份:
2012
批准年份:
2009
项目状态:
已结题
项目参与者:
田晓华、沈涛、李松华、马琳琳
中文摘要
采用射频磁控溅射方法制备NiMnInCo磁性形状记忆合金薄膜,研究薄膜生长规律和晶化行为及其影响因素,揭示薄膜生长动力学及晶化动力学机制;研究外磁场作用下马氏体相变行为,揭示磁场驱动马氏体相变的微观机制;研究薄膜马氏体-母相界面结构,建立界面结构模型;研究合金成分、制备工艺、晶化处理以及膜厚等对磁感生应变的影响规律,考察磁场作用下马氏体-母相界面的运动特点和规律,阐明磁驱动马氏体相变与磁感生应变之间的内在联系;确定获得大应变、高输出力薄膜的成分设计与制备工艺,制备高质量NiMnInCo磁性形状记忆合金薄膜,为发展兼具高响应频率、大应变、高输出力和输出功的新型微机电系统用磁性形状记忆合金薄膜奠定基础。
英文摘要
按计划完成了全部研究内容。采用射频磁控溅射方法制备了NiMnInCo磁性形状记忆合金薄膜,研究了薄膜生长规律和晶化行为及其影响因素,揭示了薄膜生长动力学及晶化动力学机制;研究了外磁场作用下马氏体相变行为,揭示了磁场驱动马氏体相变的微观机制;研究了薄膜马氏体-母相界面结构,建立了界面结构模型;研究了薄膜的基本磁性质及其微观机理;研究了磁感生应变及其影响因素,阐明了磁驱动马氏体相变与磁感生应变之间的内在联系,揭示了磁感生应变的微观机制;确定了获得大应变、高输出力薄膜的成分设计与制备工艺,制备了高质量NiMnInCo磁性形状记忆合金薄膜,为发展兼具高响应频率、大应变、高输出力和输出功的新型微机电系统用磁性形状记忆合金薄膜奠定基础。. 项目共发表SCI论文8篇;影响因子总和为17.48,其中影响因子大于2.0的文章6篇。
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DOI:
10.1016/j.jallcom.2010.04.157
发表时间:
2010-10
期刊:
Journal of Alloys and Compounds
影响因子:
6.2
作者:
[G. Dong;Z. Gao;C. Tan;J. Sui;W. Cai]
通讯作者:
G. Dong;Z. Gao;C. Tan;J. Sui;W. Cai
The effect of Fe on the martensitic transformation of TaRu high-temperature shape memory alloys: A first-principles study
Fe对TaRu高温形状记忆合金马氏体转变的影响:第一性原理研究
DOI:
10.1088/1674-1056/21/5/057105
发表时间:
2012-05
期刊:
Chinese Physics B
影响因子:
1.7
作者:
[Tan Chang-Long, Tian Xiao-Hua, Cai Wei]
通讯作者:
Cai Wei
DOI:
10.1016/j.jallcom.2012.05.121
发表时间:
2012-10
期刊:
Journal of Alloys and Compounds
影响因子:
6.2
作者:
[C. Tan;G. Dong;L. Gao;J. Sui;Z. Gao;W. Cai]
通讯作者:
C. Tan;G. Dong;L. Gao;J. Sui;Z. Gao;W. Cai
DOI:
10.1063/1.3697637
发表时间:
2012-03
期刊:
Applied Physics Letters
影响因子:
4
作者:
[Chaoliang Tan;Y. Huang;X. Tian;J. X. Jiang;W. Cai]
通讯作者:
Chaoliang Tan;Y. Huang;X. Tian;J. X. Jiang;W. Cai
Effect of Co on magnetic property and phase stability of Ni-Mn-Ga ferromagnetic shape memory alloys: A first-principles study
Co对Ni-Mn-Ga铁磁形状记忆合金磁性能和相稳定性的影响:第一性原理研究
DOI:
10.1088/1674-1056/19/10/107102
发表时间:
2010
期刊:
Chinese Physics B
影响因子:
1.7
作者:
[Tan Chang-Long, Jiang Jiu-Xing, Tian Xiao-Hua, Cai Wei]
通讯作者:
Cai Wei
共 8 条
SPS烧结MnCoGe形状记忆合金的磁弹耦合多卡效应研究
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:54万元
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批准年份:2022
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负责人:谭昌龙
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依托单位:
基于Ni-Mn-Sn磁性记忆合金薄膜的太赫兹波调控研究
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批准号:51871083
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项目类别:面上项目
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资助金额:60.0万元
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批准年份:2018
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负责人:谭昌龙
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依托单位:
Ni-Mn-Sn磁性形状记忆合金多层膜的宽温区磁热效应研究
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批准号:51471064
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项目类别:面上项目
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资助金额:85.0万元
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批准年份:2014
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负责人:谭昌龙
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依托单位:
国内基金
海外基金