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基于高k复合栅介质增强的不同晶向β-Ga2O3 MOS界面调控机理研究

批准号：
--
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
30 万元
负责人：
贾一凡
依托单位：
西安邮电大学
学科分类：
集成电路设计
结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
贾一凡
关键词：
β-Ga2O3 复合栅介质 晶向 MOS界面 栅介电层

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