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22nm FD-SOI nMOSFET电离总剂量与热载流子协同损伤效应研究

批准号：
12305312
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
30.00 万元
负责人：
周航
依托单位：
中国工程物理研究院电子工程研究所
学科分类：
半导体基础物理
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
周航
关键词：
22nmFD-SOInMOSFET电离总剂量热载流子协同损伤效应

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