利用侧壁氧化制备Si02中纳米SiGe合金的新方法
批准号：
69776009
项目类别：
面上项目
资助金额：
11.0 万元
负责人：
张敬平
依托单位：
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
2000
批准年份：
1997
项目状态：
已结题
项目参与者：
王书运、王显明、刘德丽
项目成果
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发表时间：
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期刊：
Nuclear Science and Technigue
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作者：
[张敬平]
通讯作者：
张敬平
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Semicond ,Sci Technol
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作者：
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通讯作者：
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