基于负电容效应的高频低功耗异质集成GaAs-OI MOSFET关键技术研究
批准号：
92264107
项目类别：
重大研究计划
资助金额：
80.00 万元
负责人：
刘璐
依托单位：
学科分类：
集成电路器件、制造与封装
结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
刘璐
关键词：
刘璐的其他基金
相似基金
相关文献
高速低压长保持力GaAs MOS为基量子点非挥发性存储器研究
-
批准号：61404055
-
项目类别：青年科学基金项目
-
资助金额：26.0万元
-
批准年份：2014
-
负责人：刘璐
-
依托单位：
国内基金
海外基金