二次外延势垒层的新型p-gate GaN HEMT器件栅极可靠性研究
批准号：
--
项目类别：
省市级项目
资助金额：
万元
负责人：
何亮
依托单位：
学科分类：
金属材料
结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
何亮
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