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强辐射环境下CMOS 图像传感器可靠性损伤机理及缺陷演化机制研 究

批准号：
--
项目类别：
省市级项目
资助金额：
万元
负责人：
傅婧
依托单位：
中国电子科技集团公司第二十四 研究所
学科分类：
基础物理
结题年份：
--
批准年份：
2024
项目状态：
未结题
项目参与者：
傅婧
关键词：
强辐射环境 CMOS图像传感器 可靠性损伤 缺陷演化 辐射诱导故障

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