半导体激光倍频新材料硫氰酸镉锌大单晶生长的研究
批准号:
60178029
项目类别:
面上项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
袁多荣
依托单位:
学科分类:
光学和光电子材料
结题年份:
2004
批准年份:
2001
项目状态:
已结题
项目参与者:
张光辉、姜雪宁、王新强、段秀兰、孙海清
关键词:
中文摘要
采用降温法,自混合溶剂中进行ZCTC优质大单晶生长的研究,拟采用显微结晶术,X--射线,光谱分析,原子力显微镜等手段进行不同条件下的结晶习性、缺陷及生长机理的芯俊L剿鱖CTC单晶生长的最佳生长溶剂及生长工艺条件,培养优质厘米级大单晶,以满足氲继寮す獗镀凳涤镁迤骷某叽缂爸柿康囊蟆N镁迨涤没⒄沟於ɑ
英文摘要
被动Q开关用掺钴尖晶石纳米晶复合透明材料的研究
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批准号:60678040
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项目类别:面上项目
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资助金额:31.0万元
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批准年份:2006
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负责人:袁多荣
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依托单位:
新型压电材料CNGS晶体生长、性能及应用研究
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批准号:50372034
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项目类别:面上项目
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资助金额:23.0万元
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批准年份:2003
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负责人:袁多荣
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依托单位:
新型高效蓝紫光倍频材料CMTC体系单晶生长的研究
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批准号:69778023
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项目类别:面上项目
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资助金额:12.0万元
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批准年份:1997
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负责人:袁多荣
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依托单位:
半导体激光倍频有机新晶体MHBA的形态及定向生长的研究
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批准号:69488008
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:8.5万元
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批准年份:1994
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负责人:袁多荣
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依托单位:
国内基金
海外基金