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AlGaN/GaN HEMT射频器件ESD应力下损伤机理研究

批准号：
--
项目类别：
省市级项目
资助金额：
万元
负责人：
叶然
依托单位：
学科分类：
半导体科学与信息器件
结题年份：
--
批准年份：
2024
项目状态：
未结题
项目参与者：
叶然
关键词：
AlGaN/GaN HEMT 射频器件 ESD应力 损伤分析 失效机理

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