基于p-GaN/p-AlGaN堆栈式异质结深亚微米鳍栅增强型GaN p-MOSFETs新结构研究
批准号：
--
项目类别：
省市级项目
资助金额：
15.0 万元
负责人：
周琦
依托单位：
电子科技大学广东电子信息工程研究院
学科分类：
E03.有机高分子材料
结题年份：
--
批准年份：
2024
项目状态：
未结题
项目参与者：
周琦
关键词：
异质结结构 高分子薄膜 有机半导体 纳米鳍栅 栈式层叠
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基于超薄势垒的鳍栅混合阳极GaN功率二极管新结构与机理研究
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