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溶液法二硫化钼电子结构调控及其忆阻 器用于时延储备池计算的物理实现

批准号：
--
项目类别：
省市级项目
资助金额：
10.0 万元
负责人：
胡国华
依托单位：
香港中文大學
学科分类：
代数与几何
结题年份：
--
批准年份：
2025
项目状态：
未结题
项目参与者：
胡国华
关键词：
二硫化钼 电子结构 忆阻器 时延储备池计算

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