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空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究

批准号：
2026JJ60454
项目类别：
省市级项目
资助金额：
万元
负责人：
桂庆忠
依托单位：
湖南大学
学科分类：
核技术及其应用,E02.无机非金属材料,E13.新概念材料与材料共性科学,F01.电子学与信息系统,F04.半导体科学与信息器件
结题年份：
--
批准年份：
2026
项目状态：
未结题
项目参与者：
桂庆忠
关键词：
空间辐射环境沟槽型SiC MOSFET栅氧长期可靠性半导体器件辐射效应

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