GaN中关键杂质引入的带内缺陷态和电场对GaN光学性质影响的研究
批准号：
--
项目类别：
面上项目
资助金额：
61 万元
负责人：
徐士杰
依托单位：
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
--
批准年份：
2020
项目状态：
未结题
项目参与者：
徐士杰
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依托单位：
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