重离子辐照下SiC MOSFET栅氧潜损伤的产生及演化机制研究
批准号：
12405322
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
30.00 万元
负责人：
梁晓雯
依托单位：
学科分类：
数理科学部
结题年份：
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批准年份：
2024
项目状态：
未结题
项目参与者：
梁晓雯
关键词：
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