Dopant Effects on Solid Phase Epitaxy in Silicon and Germanium

Dopant Effects on Solid Phase Epitaxy in Silicon and Germanium
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掺杂剂对硅和锗固相外延的影响

DOI:
10.1063/1.3682532
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发表时间:
2012
影响因子:
3.2
通讯作者:
J.C.McCallum
J.C.McCallum
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
B.C.Johnson;T.Ohshima;J.C.McCallum

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