具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析
具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析
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DOI：
10.7498/aps.66.167301
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
杨银堂
中科院分区：
文献类型：
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作者：
郭海君;段宝兴;袁嵩;谢慎隆;杨银堂
