InSb HEMT with over 300 GHz-fT using stepped buffer layer for strain reduction
InSb HEMT with over 300 GHz-fT using stepped buffer layer for strain reduction
复制标题
InSb HEMT 频率超过 300 GHz-fT，使用阶梯式缓冲层减少应变
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and H. I. Fujishiro
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Fujikawa;K. Isono;Y. Harada;I. Watanabe;Y. Yamashita;A. Endoh;S. Hara;A. Kasamatsu;and H. I. Fujishiro
