Temperature dependence of turn-on processes in 4H–SiC thyristors
Temperature dependence of turn-on processes in 4H–SiC thyristors
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4H-SiC 晶闸管开通过程的温度依赖性
DOI：
10.1016/s0038-1101(01)00039-9
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发表时间：
2001
影响因子：
1.7
通讯作者：
S. Yurkov
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Levinshtein;T. T. Mnatsakanov;P. Ivanov;A. Agarwal;J. Palmour;S. Rumyantsev;A. G. Tandoev;S. Yurkov
