High peak power pulses from dispersion optimised modelocked semiconductor laser
High peak power pulses from dispersion optimised modelocked semiconductor laser
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来自色散优化锁模半导体激光器的高峰值功率脉冲
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Hofmann
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Balzer;T. Schlauch;A. Klehr;G. Erbert;G. Trankle;M. Hofmann
提出了一种具有腔内色散管理的电泵浦被动锁模边发射半导体激光器系统。这一概念与脉冲压缩器相结合，可提供短至158 fs的脉冲。通过使用锥形二极管激光放大器扩展设置，在850 nm波长范围内实现了高达6.5 kW的峰值功率。
Presented is an electrically pumped passively modelocked edge-emitting semiconductor laser system in an external cavity setup with intracavity dispersion management. This concept, in combination with a pulse compressor, provides pulses as short as 158 fs. By expanding the setup with a tapered diode laser amplifier, peak powers up to 6.5 kW were achieved in the 850 nm wavelength range.
DOI：
10.1364/josab.27.000b63
发表时间：
2010-11-01
影响因子：
1.9
作者：
Richardson, D. J.;Nilsson, J.;Clarkson, W. A.
通讯作者：
Clarkson, W. A.