Effect of isochronal hydrogen annealing on surface roughness and threading dislocation density of epitaxial Ge films grown on Si
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DOI：
10.1016/j.tsf.2009.10.072
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Shin Kobayashi;Y. Nishi;K. Saraswat
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shin Kobayashi;Y. Nishi;K. Saraswat
