Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials
Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials
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半导体材料的中子嬗变掺杂
DOI：
10.1007/978-1-4613-2695-3
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发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Larrabee
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Larrabee
