Hole mobility of p-type β-FeSi_2 thin film grown from Si/Fe multilayers
Hole mobility of p-type β-FeSi_2 thin film grown from Si/Fe multilayers
复制标题
Si/Fe多层膜生长p型β-FeSi_2薄膜的空穴迁移率
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Takakura et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Seki;H.Tamura;S.Horita;N.Ito;K.Takakura et al.
Fe1−xCoxSi2 薄膜的电学和光学特性
影响因子：
6.7
作者：
S. Teichert;R. Kilper;T. Franke;J. Erben;P. Häussler;W. Henrion;H. Lange;D. Panknin
通讯作者：
D. Panknin