Reduction of threshold voltage fluctuation for organic field effect transistors by increase of insulator capacitance
Reduction of threshold voltage fluctuation for organic field effect transistors by increase of insulator capacitance
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通过增加绝缘体电容来减少有机场效应晶体管的阈值电压波动
DOI：
10.1016/j.tsf.2007.04.064
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
T. Kamata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Suemori;S. Uemura;M. Yoshida;S. Hoshino;T. Kodzasa;T. Kamata
