Diffusion of small self-interstitial clusters in silicon : Temperature-accelerated tight-binding molecular dynamics simulations
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DOI：
10.1103/physrevb.71.121203
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发表时间：
2005-03
影响因子：
3.7
通讯作者：
M. Cogoni;B. Uberuaga;A. Voter;L. Colombo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Cogoni;B. Uberuaga;A. Voter;L. Colombo
