Reverse leakage mechanism of 900V GaN vertical p-n junction diodes with and without threading dislocations
Reverse leakage mechanism of 900V GaN vertical p-n junction diodes with and without threading dislocations
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有和没有螺纹位错的 900V GaN 垂直 p-n 结二极管的反向漏电机制
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Kwon;S. Kawasaki;H. Watanabe;A. Tanaka;Y. Honda;H. Ikeda;K. Iso;H. Amano
