Crystallization in low-energy deposition of titanium ions.
Crystallization in low-energy deposition of titanium ions.
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钛离子低能沉积中的结晶。
DOI：
10.1016/s0927-7765(00)00165-x
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ensinger
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kiuchi;Matsumoto;Yoshikawa;Goto;Ensinger
为了研究离子束沉积过程中的结晶过程，在105 eV和55 eV下在硅片上沉积了钛离子。由于钛是一种活性金属，钛化合物是通过吸收回填或残余气体而形成的。在105或55 eV的能级下，钛在空气的回填下结晶为氯化钠类型的钛化合物。在所有的样品中，(110)取向的晶体都是以钛原子的矩形晶格排列生长的。择优取向晶体生长的开放沟道〈110〉平行于垂直于衬底表面的入射离子方向。
To investigate crystallization in the ion beam deposition process, titanium ions were deposited on silicon wafers at 105 and 55 eV. As titanium is an active metal, titanium compounds are formed by absorbing backfilled or residual gas. At energy levels of 105 or 55 eV, titanium crystallizes in a NaCl-type titanium compound with the backfilling of air. In all samples, (110)-oriented crystals grew with a rectangular lattice arrangement of titanium atoms. The open channel 〈110〉 of preferentially oriented crystal growth was parallel to the direction of incident ions normal to the substrate surface.
T.Itoh；Y.Yamamura；N.Itoh：“离子束辅助薄膜生长” ELSEVIER，59-100 (1989)
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