Effects of High-Temperature Diluted-H2 Annealing on Effective Mobility of 4H-SiC MOSFETs with Thermally-Grown SiO2
Effects of High-Temperature Diluted-H2 Annealing on Effective Mobility of 4H-SiC MOSFETs with Thermally-Grown SiO2
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高温稀释 H2 退火对热生长 SiO2 4H-SiC MOSFET 有效迁移率的影响
DOI：
10.7567/jjap.55.04er16
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发表时间：
2016
影响因子：
1.5
通讯作者：
Hirohisa Hirai and Koji Kita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Koji Kita;Hirohisa Hirai;and Kei Ishinoda;Hirohisa Hirai and Koji Kita;Hirohisa Hirai and Koji Kita
