Selective growth of high quality InAs quantum dots in narrow regions using in situ mask
Selective growth of high quality InAs quantum dots in narrow regions using in situ mask
复制标题
使用原位掩模在狭窄区域选择性生长高质量 InAs 量子点
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2006.04.114
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发表时间：
2006
影响因子：
1.8
通讯作者：
K. Asakawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Ohkouchi;Yusui Nakamura;H. Nakamura;N. Ikeda;Y. Sugimoto;K. Asakawa
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H