Properties of amorphous silicon produced by ion implantation: Thermal annealing
Properties of amorphous silicon produced by ion implantation: Thermal annealing
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离子注入生产的非晶硅的特性：热退火
DOI：
10.1016/0167-5087(83)90816-5
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发表时间：
1983
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Kennedy
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Spitzer;G. Hubler;T. Kennedy
