Ion beam annealing of Ga-implanted Si
Ion beam annealing of Ga-implanted Si
复制标题
注入 Ga 的 Si 的离子束退火
DOI：
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发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Pennycook
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Withrow;O. W. Holland;S. Pennycook
