Improvement in crystallinity of ZnSe by inserting a low-temperature buffer layer between the ZnSe epilayer and the GaAs substrate
Improvement in crystallinity of ZnSe by inserting a low-temperature buffer layer between the ZnSe epilayer and the GaAs substrate
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通过在 ZnSe 外延层和 GaAs 衬底之间插入低温缓冲层来提高 ZnSe 的结晶度
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)01355-6
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发表时间：
2002
影响因子：
1.8
通讯作者：
T. Yao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. S. Song;J. Chang;Sangsu Hong;M. Cho;H. Makino;T. Hanada;T. Yao
