Kinetik der elektrochemischen Bildung und Reduktion von monomolekularen Oxidschichten auf Gold
Kinetik der elektrochemischen Bildung und Reduktion von monomolekularen Oxidschichten auf Gold
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金单分子氧化反应的电化学动力学动力学
DOI:
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发表时间:
1971
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
K. Vetter
中科院分区:
文献类型:
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作者:
J. Schultze;K. Vetter
Es wurden an Gold in 1 n Schwefelsaure galvanostatische anodische und kathodische Potential-Zeitkurven (Ladekurven) aufgenommen in Abhangigkeit von der Stromdichte i und von anodisch oder kathodisch (Teilreduktion) vorgegebenen Bedeckungsgraden θ von Sauerstoffionen (Oxidbildung). Hierbei wird ein auffalliger Zeiteffekt festgestellt. Mittels galvanostatischer Einschaltmessungen wird die Strom-Spannungsabhangigkeit ϵ(i) der Oxidbildung (anodisch) und Reduktion (kathodisch) in Abhangigkeit vom Bedeckungsgrad im Bereich von θ = 0 bis 1,27 in Form von Tafelgeraden log i+ = A+ + (ϵ − E+)/b+ und log|i-| = A- − (ϵ - E-)/b- ermittelt. Die Tafelfaktoren. b+ = b+0 (1 + 3,0 · θ) und b− = b-0 (1 + 0,1 · θ) bei b+0 = 25 mV und b-0 = 38 mV sind von θ linear abhangig. Die Doppelschichtkapazitat CD fallt mit der Oxidbildung und folgt einer ganz ahnlichen linearen Beziehung 1/CD = (1/Ci) · (1 + 3,0 · θ).
Diese Gesetzmasigkeiten und die Form der Ladekurven werden durch die folgende Kinetik der Schichtbildung erklart. Die im Gleichgewicht H2O · aq ⇌ O2- · ad + 2H+ · aq mit dem Elektrolyten stehenden adsorbierten Sauerstoffionen (θad einige %) werden durch einen geschwindigkeitsbestimmenden feldstarkeabhangigen Platzwechsel mit Goldionen (2- · ad + Au3+ ⇌ O2- · ox + Au3+ · ad) in der obersten Atomschicht ausgetauscht und hierbei unter Bildung eines epitaktischen Oberflachenoxids eingebaut. Die kathodische Reduktion erfolgt in genau entgegengesetzter Richtung, allerdings nur an Oxidrandern (Inselreduktion). Alle Vorgange, insbesondere die Tafel-Beziehungen, mit den θ-abhangigen b-Faktoren werden mittels der Potentialverteilung in einer dreischichtigen starren Doppelschicht gedeutet, die aus der auseren und inneren Helmholtzschicht (Adsorptionsschicht) und der ladungsfreien Oxidschicht (ein bis zwei Atomlagen) besteht. Der Potentialanstieg in den Ladekurven wird durch den steigenden Potentialabfall in der Oxidschicht mit wachsender Dicke bei konstanter Feldstarke erklart.
Galvanostatic anodic and cathodic potential-time relations (charging curves) were measured at gold in 1 n sulphuric acid, as a function of the current density i and the anodically and cathodically preset coverage θ of oxygen ions (oxide formation). A remarkable time effect was observed. The current-potential relation ϵ(i) of the oxide formation (anodic) and reduction (cathodic) was determined by galvanostatic transient measurements in dependence on the coverage θ, in the range from θ = 0 to 1.27. Tafel relations log i+ = A+ + (ϵ − E+)/b+ and log|i-| = A- − (ϵ − E-)/b- with Tafel slopes b+ = b+0 (1 + 3.0 · θ) and b− = b-0 (1 + 0.1 · θ) linearly depending on θ with b+0 = 25 mV and b-0 = 38 mV were found. The double layer capacity CD decreases with increasing oxide thickness and follows a similar linear relation 1/CD = (1/Ci) · (1 + 3,0 · θ).
These relations and the shape of the charging curves are explained by the following kinetics of the layer formation. The chemisorbed oxygen ions (0.01 < θad < 0.1) are in equilibrium with the electrolyte H2O · aq ⇌ O2- · ad + 2H+ · aq. The replacement of gold ions by oxygen ions in the surface atomic layer (O2- · ad + Au3+ ⇌ O2- · ox + Au3+ · ad) which depends on the field strenght, is rate determining. This process yields an epitactic surface oxide. The cathodic reduction proceeds strictly in the reverse direction, but only at the oxide edges (island reduction). All processes, especially the Tafel relations with the θ depending b-factors. are explained by means of a compact double layer consisting of 3 layers, the outer and the inner Helmholtz layer (adsorption layer) and the charge-free oxide layer (one to two atomic layers). The slope of the charging curves is explained by the increasing potential drop in the growing oxide layer at constant field strength.